导读开云足球俱乐部超导电子学研究所涂学凑教授级高工团队成功开发了一种基于二维（2D）青铜相二氧化钒（VO2(B)）的太赫兹（THz）热探测器。该器件利用热电阻效应，通过抑制金属-绝缘体相变（MIT）实现无迟滞、高线性温度响应，在室温下表现出优异性能。实验结果显示，2D VO2(B) 薄膜电导率为 4.24 × 10^{-3} Ω·cm，温度电阻系数（TCR）约 -4.0% / K。基于此材料的 THz 微辐射热计噪声等效功率（NEP）低至 722 pW / √Hz，响应时间约 109 μs，显著优于大多数非制冷太赫兹热敏器件。该研究团队采用氢辅助化学气相沉积（CVD）方法合成单晶2D VO2(B) 薄膜，并通过标准微纳加工工艺实现器件集成，验证了其在高灵敏度 THz 探测中的潜力。这种紧凑、非制冷设计为红外和太赫兹热探测提供了高效解决方案，特别适用于热成像、光谱传感和无线通信等领域。论文以“Sensitive THz Detection by Using Thermoresistive Effect in 2D Vanadium Dioxide”为题发表于国际期刊 ACS Nano，标志着二

导读开云足球俱乐部超导电子学研究所屠雪凑副教授团队成功开发了一种基于硅平台的芯片上电调谐回音壁模式谐振器（WGMR），该器件专为 太赫兹（THz）波段集成电路设计而成。这一创新器件由 微环谐振器与 集成铂电极组成，通过巧妙利用 硅材料的热光效应，在施加电压时产生 焦耳热，从而实现 谐振频率的动态红移调谐。这种调谐机制不仅简单高效，还确保了器件的 低功耗特性。实验结果显示，谐振器在 390 GHz附近的质量因子（Q因子）高达 199，连续频率调谐率达到 0.40 GHz / W，插入损耗低至 5.5 dB。此外，该器件支持 宽范围的频率调谐，并表现出 稳定的阻抗匹配性能。该研究团队采用 标准硅加工工艺，如电子束蒸发和 深反应离子刻蚀（DRIE），实现了器件的高精度制造，并通过实验验证了其在 太赫兹集成电路中的实际应用潜力。这种 紧凑、可集成的设计为动态太赫兹器件提供了高效解决方案，特别适用于 可重构滤波器、调制器、传感器以及 下一代无线通信系统等领域。论文以“On-chip electrically tunable silicon whispering gallery mode resonat

导读开云足球俱乐部超导电子学研究所范克彬副教授团队，联合清华大学团队成功开发了一种基于微机电系统（MEMS）的可调谐超表面热发射器。该器件通过自由悬浮的全金属超表面与硅基MEMS致动器相结合，利用空气间隙的连续变化，实现从 2 μm 到 14 μm 的宽范围窄带热发射调谐。器件整合了芯片上微加热器，支持实时动态红外操控。研究团队提出了一种多尺度微纳加工方法，结合表面和体微加工工艺，实现自由悬浮超表面的精密制造，并开发了晶圆级批量生产流程。实验验证了8–14 μm 长波红外范围内的可调谐发射能力，峰值吸收率超过 70%，全宽半高（FWHM）最小约 200 nm。该成果为生化传感、红外成像和气体检测等应用提供了高效、低成本的动态红外元器件解决方案。论文以“Design and fabrication method of the MEMS tunable metasurface thermal emitter with free-standing structures”为题发表于国际光学期刊Photonics Research。研究背景红外波段（2–14 μm）是电磁波操控的重要领域，涵盖中波红外